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产品简介:
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2N5484是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道耗尽型射频MOSFET,常用于低噪声、高频放大电路中。其主要应用场景包括: 1. 射频前置放大器:适用于通信设备中的低噪声放大器设计,如无线接收机前端,具有良好的增益和噪声性能。 2. 高频振荡器与混频器:在射频发射模块中,可用于构建高频振荡电路或混频电路,支持稳定的信号生成与转换。 3. 测试仪器与收发设备:广泛应用于信号发生器、频谱分析仪等测试设备,以及业余无线电设备中的射频信号处理部分。 4. 模拟开关与调制电路:由于其快速响应特性,也可用于射频信号的模拟开关控制或幅度调制应用。 该器件采用TO-92封装,便于插件安装,适合工作在100MHz以下频率范围内的射频和模拟电路设计,具备良好的温度稳定性和可靠性,适用于工业级环境。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | IC AMP RF N-CHAN 25V 10MA TO-92 |
产品分类 | RF FET |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | 2N5484 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
功率-输出 | - |
包装 | 散装 |
噪声系数 | 4dB |
增益 | - |
封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
晶体管类型 | N 通道 JFET |
标准包装 | 2,000 |
电压-测试 | 15V |
电压-额定 | 25V |
电流-测试 | - |
频率 | 400MHz |
额定电流 | 5mA |