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  • 型号: MRF8P8300HR6
  • 制造商: Freescale Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8P8300HR6由Freescale Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8P8300HR6价格参考。Freescale SemiconductorMRF8P8300HR6封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MRF8P8300HR6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MRF8P8300HR6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

型号为MRF8P8300HR6的射频MOSFET晶体管,由NXP USA Inc.生产,主要应用于射频(RF)功率放大领域。该器件特别适用于工作在VHF和UHF频段的高功率射频系统,常见于广播、工业加热、医疗设备及通信基础设施中。

MRF8P8300HR6具备高功率密度和优良的热稳定性,能够在较高的频率下保持良好的放大线性度和效率,因此广泛用于射频能量应用,例如射频感应加热、等离子体生成和射频电源系统。此外,它也适合用于无线通信基站中的射频功率放大器模块,特别是在需要高可靠性和高效率的场景中。

该器件采用高耐用性封装,适合在较恶劣环境下运行,具有良好的失配耐受能力,使其在天线阻抗变化较大的应用中仍能保持稳定工作。因此,该晶体管不仅适用于工业领域,也可用于某些专业射频测试设备和射频放大器设计中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET RF N-CH 96W 28V NI1230

产品分类

RF FET

品牌

Freescale Semiconductor

数据手册

产品图片

产品型号

MRF8P8300HR6

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

NI-1230

功率-输出

96W

包装

带卷 (TR)

噪声系数

-

增益

20.9dB

封装/外壳

NI-1230

晶体管类型

LDMOS(双)

标准包装

150

电压-测试

28V

电压-额定

70V

电流-测试

2A

频率

820MHz

额定电流

-

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