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- 型号： MRF8S21200HR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8S21200HR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8S21200HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF8S21200HR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8S21200HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8S21200HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为MRF8S21200HR5的晶体管由NXP USA Inc.生产，属于射频MOSFET类别，主要应用于射频功率放大领域。该器件特别适用于2G、3G、4G等无线通信基站设备中的射频信号放大，支持高频段、高效率的信号传输。此外，它也可用于工业和通信领域的射频能量应用，如射频加热、等离子体生成等。该MOSFET具备高耐用性和稳定性，适合在需要高输出功率和高线性度的环境中使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | FET RF N-CH 2.1GHZ 28V NI1230H |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF8S21200HR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-1230 |
| 功率-输出 | 48W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18.1dB |
| 封装/外壳 | NI-1230 |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.4A |
| 频率 | 2.14GHz |
| 额定电流 | - |
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