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型号： BLF7G27LS-90P,112
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BLF7G27LS-90P,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF7G27LS-90P,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF7G27LS-90P,112封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BLF7G27LS-90P,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF7G27LS-90P,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Ampleon USA Inc. 生产的型号为 BLF7G27LS-90P,112 的晶体管属于 FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别，且专门用于射频（RF）应用。以下是该器件的主要应用场景及特点：

 1. 射频功率放大器
   - 应用领域：该器件广泛应用于射频功率放大器中，适用于广播、通信和工业加热等领域。
   - 特点：BLF7G27LS-90P,112 提供高增益和高效率，在高频段（如短波和甚高频 VHF）下表现出色，能够满足高功率输出需求。

 2. 业余无线电
   - 应用领域：在业余无线电设备中用作末级功率放大器。
   - 特点：其高线性度和稳定性确保了信号的高质量传输，适合需要大功率输出的业余无线电爱好者使用。

 3. 广播发射机
   - 应用领域：用于 AM/FM 广播发射机中的功率放大模块。
   - 特点：该器件能够在较高的频率范围内保持稳定的性能，支持高效的能量转换，降低热量损耗。

 4. 无线通信系统
   - 应用领域：适用于基站、中继站和其他无线通信设备。
   - 特点：其射频特性使其成为理想的选择，尤其是在需要高可靠性和高效率的通信系统中。

 5. 工业、科学与医疗 (ISM) 领域
   - 应用领域：用于 ISM 频段的设备，例如等离子体发生器、感应加热装置和医疗设备。
   - 特点：该器件具有出色的耐用性和热管理能力，能够在苛刻的工作条件下长时间运行。

 6. 雷达系统
   - 应用领域：用于脉冲或连续波雷达系统的功率放大器。
   - 特点：其快速开关特性和高功率处理能力使其非常适合雷达应用。

 总结
BLF7G27LS-90P,112 是一款高性能射频 MOSFET，适用于需要高功率、高效率和高稳定性的射频应用场景。其主要优势在于宽频带操作能力、低失真和优异的热性能，是广播、通信、工业和军事领域的重要组件。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS LDMOS SOT1121B
产品分类	RF FET
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	BLF7G27LS-90P,112
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	CDFM4
其它名称	934064499112
功率-输出	16W
包装	管件
噪声系数	-
增益	17.5dB
封装/外壳	SOT-1121B
晶体管类型	LDMOS（双）
标准包装	20
电压-测试	28V
电压-额定	65V
电流-测试	720mA
频率	2.5GHz ~ 2.7GHz
额定电流	18A