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- 型号： BLF8G20LS-400PVQ
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF8G20LS-400PVQ由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF8G20LS-400PVQ价格参考。NXP SemiconductorsBLF8G20LS-400PVQ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF8G20LS-400PVQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF8G20LS-400PVQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 生产的型号为 BLF8G20LS-400PVQ 的晶体管属于 FET（场效应晶体管）、MOSFET 类别，特别针对射频（RF）应用进行了优化。以下是该器件的主要应用场景： 1. 射频功率放大器 - BLF8G20LS-400PVQ 适用于高频信号放大的场合，特别是在无线通信系统中。它能够高效地放大射频信号，满足基站、无线电设备和其他无线传输设备的需求。 - 常见应用包括蜂窝网络基站、对讲机、广播发射机等。 2. 雷达系统 - 在军事和民用雷达系统中，这款 MOSFET 可用于生成高功率射频信号，以实现目标检测和跟踪功能。 - 其高效率和低失真特性使其成为雷达发射机的理想选择。 3. 业余无线电 - 对于业余无线电爱好者，BLF8G20LS-400PVQ 可用于构建高性能的射频功放模块，支持短波、超短波等频段的信号传输。 4. 工业、科学和医疗（ISM）频段设备 - 在 ISM 频段（如 2.4GHz 或其他特定频率），该器件可用于无线能量传输、感应加热、微波治疗仪等设备中，提供稳定的射频功率输出。 5. 测试与测量设备 - 在实验室环境中，这款 MOSFET 可用于射频信号发生器、频谱分析仪或其他需要精确控制射频信号的仪器中。 6. 卫星通信 - 在卫星地面站或卫星通信终端中，BLF8G20LS-400PVQ 可用于射频信号的放大，确保数据在地球与卫星之间的可靠传输。 性能特点 - 高功率处理能力：适用于需要大功率射频输出的应用。 - 宽频带支持：覆盖多个射频频段，适应多种通信标准。 - 高效率和低热耗散：有助于减少散热需求并提高整体系统效率。 - 可靠性强：适合长时间运行的关键任务场景。 综上所述，BLF8G20LS-400PVQ 主要应用于需要高功率射频信号放大和传输的领域，例如通信、雷达、医疗和工业设备等。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF 400W LDMOS CDFM8 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLF8G20LS-400PVQ |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CDFM8 |
| 其它名称 | 934067803127 |
| 功率-输出 | 95W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 19dB |
| 封装/外壳 | SOT-1242B |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 15 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 3.4A |
| 频率 | 1.81GHz ~ 1.88GHz |
| 额定电流 | - |
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