Datasheet下载- 型号： PD57030-E
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PD57030-E由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PD57030-E价格参考￥165.08-￥197.48。STMicroelectronicsPD57030-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PD57030-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PD57030-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的PD57030-E是一款射频MOSFET晶体管，主要应用于射频功率放大领域。该器件适用于无线通信基础设施，如蜂窝基站、广播发射设备以及工业和医疗高频设备等场景。 PD57030-E具备高功率密度、良好热稳定性和优异线性度，使其在2GHz以下频段表现尤为出色，适合用于4G/5G通信系统中的主功率放大器。此外，其高效率和可靠性也使其广泛应用于广播发射机的射频输出级，如FM或电视广播发射器中。 该器件还可在测试设备和专用射频系统中作为高功率射频信号放大元件使用，满足对稳定性和性能要求较高的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10射频MOSFET晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4 A |
| Id-连续漏极电流 | 4 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,STMicroelectronics PD57030-E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PD57030-E |
| Pd-PowerDissipation | 52.8 W |
| Pd-功率耗散 | 52.8 W |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 65 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 65 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
| 供应商器件封装 | 10-PowerSO |
| 其它名称 | 497-5307-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM1987/CL1989/SC1829/PF146583?referrer=70071840 |
| 功率-输出 | 30W |
| 功率耗散 | 52.8 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14 dB at 945 MHz |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | PowerSO-10 裸露底部焊盘 |
| 封装/箱体 | PowerSO-10RF (Formed Lead) |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 技术 | LDMOS |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | LDMOS Power |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 65 V |
| 漏极连续电流 | 4 A |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 50mA |
| 系列 | PD57030-E |
| 输出功率 | 30 W |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
| 频率 | 1 GHz |
| 额定电流 | 4A |
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