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  • 型号: MRF141G
  • 制造商: M/A-COM
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF141G由M/A-COM设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF141G价格参考。M/A-COMMRF141G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MRF141G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MRF141G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

FET RF 2N CH 28V 300W 375-04射频MOSFET晶体管 5-175MHz 300Watts 28Volt Gain 12dB

产品分类

RF FET分离式半导体

Id-ContinuousDrainCurrent

32 A

Id-连续漏极电流

32 A

品牌

M/A-Com Technology SolutionsMACOM

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,MACOM MRF141G-

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产品型号

MRF141GMRF141G

Pd-PowerDissipation

500 W

Pd-功率耗散

500 W

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

65 V

Vds-漏源极击穿电压

65 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 40 V

Vgs-栅源极击穿电压

+/- 40 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

3 V

Vgsth-栅源极阈值电压

3 V

产品种类

射频MOSFET晶体管

供应商器件封装

375-04, 2 型

其它名称

1465-1150

功率-输出

300W

功率耗散

500 W

包装

托盘

商标

MACOM

噪声系数

-

增益

12 dB14dB

安装风格

SMD/SMT

封装

Tray

封装/外壳

375-04

封装/箱体

Case 375-04

工厂包装数量

30

晶体管极性

N-Channel

晶体管类型

2 N 沟道(双)共源

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 65 C

标准包装

6

汲极/源极击穿电压

65 V

漏极连续电流

32 A

电压-测试

28V

电压-额定

65V

电流-测试

500mA

输出功率

300 W

配置

Dual

闸/源击穿电压

+/- 40 V

频率

175 MHz175MHz

额定电流

32A

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