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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF141G由M/A-COM设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF141G价格参考。M/A-COMMRF141G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MRF141G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MRF141G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF141G是M/A-Com Technology Solutions公司推出的一款射频MOSFET晶体管,主要用于高功率射频放大应用。该器件基于硅双极工艺设计,具备高增益、高效率和良好的热稳定性,适用于甚高频(VHF)和特高频(UHF)频段。 典型应用场景包括:广播电视发射系统中的射频功率放大,如FM广播和电视发射机;陆地移动通信系统,例如公共安全通信、应急通信和专业对讲系统;以及工业、科学和医疗(ISM)频段的射频能量应用,如射频加热和等离子体生成。 MRF141G支持宽带工作,可在30MHz至500MHz频率范围内稳定运行,输出功率可达数百瓦,适合需要高可靠性和持续高功率输出的场合。其坚固的封装设计增强了散热性能,能够在严苛环境下长时间工作,广泛应用于基站设备、固定无线接入和高功率线性放大器中。 由于具备良好的抗失配能力和内置的静电保护,MRF141G在实际部署中表现出较高的耐用性和稳定性,是模拟射频功率放大电路中的关键元件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | FET RF 2N CH 28V 300W 375-04射频MOSFET晶体管 5-175MHz 300Watts 28Volt Gain 12dB |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 32 A |
| Id-连续漏极电流 | 32 A |
| 品牌 | M/A-Com Technology SolutionsMACOM |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,MACOM MRF141G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MRF141GMRF141G |
| Pd-PowerDissipation | 500 W |
| Pd-功率耗散 | 500 W |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 65 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 65 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 40 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 40 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
| 供应商器件封装 | 375-04, 2 型 |
| 其它名称 | 1465-1150 |
| 功率-输出 | 300W |
| 功率耗散 | 500 W |
| 包装 | 托盘 |
| 商标 | MACOM |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 12 dB14dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tray |
| 封装/外壳 | 375-04 |
| 封装/箱体 | Case 375-04 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | 2 N 沟道(双)共源 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 6 |
| 汲极/源极击穿电压 | 65 V |
| 漏极连续电流 | 32 A |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 500mA |
| 输出功率 | 300 W |
| 配置 | Dual |
| 闸/源击穿电压 | +/- 40 V |
| 频率 | 175 MHz175MHz |
| 额定电流 | 32A |