【未分类_MRF8S9200NR3】封装/厂家_MRF8S9200NR3中文资料_价格

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型号： MRF8S9200NR3
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8S9200NR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8S9200NR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF8S9200NR3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF8S9200NR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8S9200NR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NXP USA Inc.生产的MRF8S9200NR3是一款射频（RF）晶体管，属于FET（场效应晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。这种器件通常用于高频、高功率的应用场景，具体包括以下几个方面：

1. 射频功率放大器：该型号的MOSFET适用于射频功率放大器的设计，特别是在无线通信系统中，如蜂窝基站、无线电广播发射机和其他需要高效射频功率输出的场合。

2. 雷达系统：在军事和民用雷达应用中，MRF8S9200NR3可以提供所需的高功率和高频率性能，确保信号的远距离传输和清晰接收。

3. 无线能量传输：随着无线充电技术的发展，此类射频晶体管可用于提高无线能量传输系统的效率和范围。

4. 业余无线电：对于业余无线电爱好者来说，这款MOSFET可以用于自制或改装的高功率射频发射机中，以增强信号强度和覆盖范围。

5. 工业、科学和医疗设备（ISM）：在这些领域中，射频技术被广泛应用于加热、干燥、焊接和等离子体生成等过程。MRF8S9200NR3能够支持这些应用所需的高频和高功率条件。

总的来说，MRF8S9200NR3因其卓越的射频性能和高功率处理能力，成为众多高要求射频应用的理想选择。其设计旨在满足现代通信和技术需求，同时保持高效的能源使用和可靠性。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET RF N-CH 58W OM780-2射频MOSFET晶体管 HV8 900MHz 58W OM780-2
产品分类	RF FET分离式半导体
品牌	Freescale Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,Freescale Semiconductor MRF8S9200NR3-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	MRF8S9200NR3
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	70 V
Vds-漏源极击穿电压	70 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	10 V
Vgs-栅源极击穿电压	10 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	2.3 V
Vgsth-栅源极阈值电压	2.3 V
产品种类	射频MOSFET晶体管
供应商器件封装	OM-780-2
功率-输出	58W
包装	带卷（TR）
单位重量	3.081 g
商标	Freescale Semiconductor
噪声系数	-
增益	19.5 dB at 960 MHz
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	OM-780-2
封装/箱体	OM-780-2
工厂包装数量	250
晶体管极性	N-Channel
晶体管类型	LDMOS
最大工作温度	+ 150 C
标准包装	250
汲极/源极击穿电压	70 V
电压-测试	28V
电压-额定	70V
电流-测试	1.4A
系列	MRF8S9200N
输出功率	58 W
配置	Single
闸/源击穿电压	10 V
频率	920 MHz to 960 MHz
额定电流	10µA