Datasheet下载- 型号： BF545B,215
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BF545B,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BF545B,215价格参考。NXP SemiconductorsBF545B,215封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BF545B,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BF545B,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为BF545B,215的NXP USA Inc.射频MOSFET晶体管，主要应用于射频（RF）信号处理领域。该器件适用于工作频率较高的无线通信系统，如射频放大器、混频器、调制解调器以及射频开关等电路中。 BF545B,215具有良好的高频性能和低噪声特性，适合用于接收端的前置放大器和发射端的驱动放大器，有助于提高通信系统的信号质量和传输距离。此外，该器件也可用于工业控制、测试测量设备、广播系统和消费类电子产品中的射频模块设计。 其封装和性能设计使其能够在相对恶劣的环境中稳定工作，具备一定的可靠性和耐用性。广泛用于如无线基站、Wi-Fi设备、蓝牙模块、射频识别（RFID）设备等应用场景中。 总之，BF545B,215是一款适用于中高频射频电路的通用型MOSFET晶体管，广泛应用于现代通信及射频电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | JFET N-CH 30V 15MA SOT23射频JFET晶体管 N-Channel Single '+/- 30V 2mA |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-连续漏极电流 | 15 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,NXP Semiconductors BF545B,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BF545B,215 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-功率耗散 | 250 mW |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs=0时的漏-源电流 | 2 mA |
| 产品 | RF JFET |
| 产品种类 | 射频JFET晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-6164-1 |
| 功率-输出 | - |
| 功率耗散 | 250 mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | - |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | JFET |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源电压VDS | 30 V |
| 电压-测试 | - |
| 电压-额定 | 30V |
| 电流-测试 | - |
| 类型 | Silicon |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 30 V |
| 闸/源截止电压 | 2.2 V |
| 频率 | - |
| 额定电流 | 15mA |
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