Datasheet下载- 型号： BLA0912-250,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLA0912-250,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLA0912-250,112价格参考。NXP SemiconductorsBLA0912-250,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLA0912-250,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLA0912-250,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc.生产的BLA0912-250,112是一款射频（RF）MOSFET晶体管，主要应用于高频功率放大器领域。以下是该型号的主要应用场景： 1. 无线通信设备 - 基站功率放大器：BLA0912-250,112适用于蜂窝通信基站中的射频功率放大器，用于提高信号强度和覆盖范围。 - 对讲机和移动电台：在专业无线电通信设备中，该晶体管可提供高效稳定的射频信号输出。 2. 广播电视系统 - 电视和广播发射机：该器件可用于广播电视台的射频功率放大器，确保高质量的音频和视频信号传输。 3. 雷达系统 - 脉冲功率放大器：在军事或民用雷达系统中，BLA0912-250,112可用于放大脉冲射频信号，提升探测距离和精度。 4. 工业、科学和医疗（ISM）应用 - 射频加热设备：如工业微波炉、等离子体发生器等，需要高效射频功率转换的场景。 - 医疗设备：例如射频消融设备，用于精准的医疗治疗。 5. 测试与测量仪器 - 信号源和功率放大器：在实验室环境中，该晶体管可用于构建高精度的射频测试设备。 特性优势 - 高效率：适合需要低功耗和高输出功率的应用。 - 宽频带支持：能够覆盖多种射频频率范围，适应不同通信标准。 - 高可靠性：设计用于恶劣环境下的长期稳定运行。 综上，BLA0912-250,112广泛应用于需要高性能射频功率放大的场合，特别是在通信、广播、雷达和工业设备等领域表现优异。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS LDMOS NCH 75V SOT502A |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLA0912-250,112 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | LDMOST |
| 其它名称 | 934057490112 |
| 功率-输出 | 250W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 13dB |
| 封装/外壳 | SOT-502A |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 36V |
| 电压-额定 | 75V |
| 电流-测试 | - |
| 频率 | 960MHz ~ 1.22GHz |
| 额定电流 | 45A |
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