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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BF909,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BF909,215价格参考。NXP SemiconductorsBF909,215封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BF909,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BF909,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc.生产的BF909,215型号晶体管属于FET(场效应晶体管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)中的射频类别,主要用于高频信号处理和无线通信领域。以下是该型号的主要应用场景: 1. 射频放大器:BF909,215适用于设计高效的射频功率放大器,用于提升无线信号强度,确保信号传输的稳定性和覆盖范围。它常用于对频率要求较高的通信设备中。 2. 无线通信设备:该型号可用于各类无线通信模块,如对讲机、无线麦克风、无线耳机等,提供稳定的射频信号处理能力。 3. 卫星通信系统:在卫星通信地面站或用户终端中,BF909,215可以作为射频前端的关键组件,负责信号的放大与调制。 4. 雷达系统:在小型雷达装置中,该晶体管可用于信号发射和接收部分,支持高灵敏度的探测功能。 5. 移动通信基站:在低功率基站或微蜂窝基站中,BF909,215可用于射频信号的处理与放大,以满足通信需求。 6. 射频开关:由于其优异的高频特性,该型号也可用作射频开关,实现信号路径的选择与切换。 7. 短距离无线传输:例如蓝牙、Wi-Fi模块等,BF909,215能够优化信号质量,提高数据传输效率。 8. 工业与医疗设备:在需要高频信号处理的工业控制或医疗成像设备中,该晶体管可发挥重要作用。 总之,BF909,215以其卓越的射频性能,广泛应用于各种高频信号处理场景,尤其是在无线通信和电子设备领域具有重要价值。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 7V 40MA SOT143射频MOSFET晶体管 TAPE7 MOS-RFSS |
产品分类 | RF FET分离式半导体 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 40 mA |
Id-连续漏极电流 | 40 mA |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,NXP Semiconductors BF909,215- |
数据手册 | |
产品型号 | BF909,215 |
PCN封装 | |
Pd-PowerDissipation | 200 mW |
Pd-功率耗散 | 200 mW |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 7 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 7 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 6 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 6 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1 V, 1.2 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 1 V, 1.2 V |
产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
产品类型 | MOSFET Small Signal |
供应商器件封装 | SOT-143B |
其它名称 | 568-6179-1 |
功率-输出 | - |
功率耗散 | 200 mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | NXP Semiconductors |
噪声系数 | 2dB |
增益 | - |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-253-4,TO-253AA |
封装/箱体 | SOT-143 |
工厂包装数量 | 3000 |
技术 | MOSFET |
晶体管极性 | Dual N-Channel |
晶体管类型 | N 通道双门 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | 7 V |
漏极连续电流 | 40 mA |
电压-测试 | 5V |
电压-额定 | 7V |
电流-测试 | 15mA |
配置 | Dual |
闸/源击穿电压 | 6 V |
零件号别名 | BF909 T/R |
频率 | 800MHz |
额定电流 | 40mA |