Datasheet下载- 型号： MRFE6S9125NBR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
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型号为MRFE6S9125NBR1的射频MOSFET晶体管，由NXP USA Inc.生产，主要应用于射频（RF）功率放大领域。该器件适用于工作频率在800MHz至1GHz范围内的通信系统，常用于蜂窝基站、无线基础设施、广播发射机以及工业和科学设备中的高效率功率放大器设计。 该MOSFET具有高增益、高效率和良好的热稳定性的特点，适合于TDMA、CDMA、W-CDMA等多种调制格式的无线通信标准。此外，它也适用于需要高线性度和稳定输出功率的数字通信系统，如4G LTE基站和未来5G通信基础设施中。由于其出色的耐用性和可靠性，该器件也能胜任恶劣环境下的长时间运行任务。 总之，MRFE6S9125NBR1广泛应用于现代无线通信系统的射频功率放大环节，是实现高效、稳定信号传输的关键组件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 27W TO-272-4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRFE6S9125NBR1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-272 WB-4 |
| 功率-输出 | 27W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 20.2dB |
| 封装/外壳 | TO-272BB |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 66V |
| 电流-测试 | 950mA |
| 频率 | 880MHz |
| 额定电流 | 10µA |
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