Datasheet下载- 型号： AFT05MS006NT1
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供AFT05MS006NT1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 AFT05MS006NT1价格参考￥17.44-￥21.07。Freescale SemiconductorAFT05MS006NT1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载AFT05MS006NT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有AFT05MS006NT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 的 AFT05MS006NT1 是一款高性能射频场效应晶体管（RF MOSFET），属于晶体管 - FET，MOSFET - 射频类别。该器件主要应用于工作频率在 20–945 MHz 范围的射频功率放大场景，具备高效率、高增益和良好的热稳定性等特点。 AFT05MS006NT1 常用于工业、科学和医疗（ISM）频段设备，如射频能量应用、感应加热、等离子发生器和射频激励源等。此外，它也广泛应用于广播发射机中的模拟与数字电视（DTV）射频功率放大级，支持 UHF 频段信号传输。由于其出色的线性度和可靠性，该器件还适用于需要高稳定性的通信基础设施，如陆地集群无线电（TETRA）系统和其他专业移动无线电（PMR）应用。 该MOSFET采用先进的工艺技术，能够在高驻波比（VSWR）条件下承受较大失配负载，增强了系统鲁棒性，减少了对外部保护电路的依赖。同时，其紧凑的封装形式有利于高密度电路布局，适合空间受限的应用环境。 综上，AFT05MS006NT1 主要服务于中功率射频放大需求，在广播、工业加热和专用无线通信等领域具有重要应用价值。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF LDMOS 6W PLD |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | AFT05MS006NT1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | PLD-1.5W-2 |
| 功率-输出 | 6W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18.3dB |
| 封装/外壳 | PLD-1.5W-2 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-测试 | 7.5V |
| 电压-额定 | 30V |
| 电流-测试 | 100mA |
| 频率 | 520MHz |
| 额定电流 | - |
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