Datasheet下载- 型号： PD57006TR-E
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PD57006TR-E由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PD57006TR-E价格参考。STMicroelectronicsPD57006TR-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PD57006TR-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PD57006TR-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics 的 PD57006TR-E 是一款射频MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于射频功率晶体管类别，广泛应用于高频信号放大和射频功率处理场景。该器件具备高增益、高效率和良好的热稳定性，适用于工作频率较高的无线通信系统。 主要应用场景包括： 1. 无线基础设施：用于蜂窝基站的射频功率放大器模块，支持GSM、LTE、5G等通信标准，在宏基站和小基站中实现信号的高效放大。 2. 工业与商业射频设备：适用于射频能量应用，如工业加热、等离子生成和医疗设备中的射频源。 3. 广播与通信系统：在VHF/UHF频段的广播发射机、对讲系统及专用无线电中提供稳定的射频输出。 4. 雷达与电子战系统：因其良好的线性度和瞬态响应，可用于低功率雷达和短距离通信系统中的射频前端设计。 PD57006TR-E采用紧凑型表面贴装封装，适合高密度PCB布局，同时具备良好的散热性能，可在较宽温度范围内稳定工作，满足工业级可靠性要求。其设计优化了输入/输出匹配网络，简化了射频电路的设计流程，有助于缩短产品开发周期。 综上，PD57006TR-E是一款面向中等功率射频应用的高性能MOSFET，适用于通信基础设施、工业射频处理及专业无线系统等多种关键场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF POWERSO-10 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PD57006TR-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | PowerSO-10RF（成形引线） |
| 其它名称 | 497-6475-1 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM1987/CL1989/SC1829/PF146581?referrer=70071840 |
| 功率-输出 | 6W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15dB |
| 封装/外壳 | PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线） |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 70mA |
| 频率 | 945MHz |
| 额定电流 | 1A |
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