Datasheet下载- 型号： BLP8G10S-45PGY
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLP8G10S-45PGY由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLP8G10S-45PGY价格参考。NXP SemiconductorsBLP8G10S-45PGY封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLP8G10S-45PGY参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLP8G10S-45PGY 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLP8G10S-45PGY是Ampleon USA Inc.推出的一款高性能射频MOSFET晶体管，主要用于高功率射频放大应用。该器件基于先进的LDMOS技术，具备高效率、高增益和优异的热稳定性，适用于工作频率在806 MHz至960 MHz范围内的系统。 其典型应用场景包括陆地移动无线电（LMR）、公共安全通信、基站基础设施以及工业、科学和医疗（ISM）频段的高功率射频放大器。特别适合用于4G LTE和5G通信基站中的多载波功率放大器模块，支持高数据吞吐量和稳定信号覆盖。 BLP8G10S-45PGY采用紧凑的塑料封装，具有良好的散热性能和可靠性，可在高电压和高温环境下稳定运行，满足严苛的工业标准。其高功率输出能力（可达450W）和出色的线性度，使其在需要大动态范围和低失真的通信系统中表现出色。 此外，该器件还广泛应用于广播传输设备和高功率无线中继系统，支持数字音频广播（DAB）和地面数字电视（DTT）等服务。由于其优异的抗负载失配能力和内置的静电保护设计，能够有效提升系统鲁棒性和使用寿命。 综上，BLP8G10S-45PGY是一款面向现代无线通信基础设施的关键射频功率放大器件，适用于对性能、可靠性和能效要求较高的高功率发射系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF PWR LDMOS 4HSOP |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLP8G10S-45PGY |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 4-HSOP |
| 其它名称 | 934067372518 |
| 功率-输出 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 20.8dB |
| 封装/外壳 | 4-BESOP （0.173"， 4.40mm 宽） |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 224mA |
| 频率 | 952.5MHz ~ 957.5MHz |
| 额定电流 | - |
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