Datasheet下载- 型号： MRF5S19060NBR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF5S19060NBR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF5S19060NBR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF5S19060NBR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF5S19060NBR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF5S19060NBR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为MRF5S19060NBR1的射频MOSFET晶体管，主要应用于无线通信领域的射频功率放大器设计中。该器件由NXP USA Inc.（恩智浦半导体）制造，属于高性能射频场效应晶体管（RF MOSFET），适用于工作频率在870 MHz至960 MHz范围内的系统。 典型应用场景包括： 1. 蜂窝通信基站：用于2G、3G、4G LTE等移动通信网络中的基站射频功率放大模块，提供高线性度和效率，满足多载波信号放大需求。 2. 工业与商业无线设备：如专用无线通信系统、公共安全通信设备、广播传输系统等，用于增强射频信号发射能力。 3. 宽带射频放大器设计：适合需要高输出功率和良好热稳定性的宽频带应用场合。 4. 测试与测量设备：用于射频测试仪器中作为信号放大元件，确保测试过程中的信号完整性。 该器件采用先进的LDMOS工艺技术，具备高增益、低失真、优良的热性能和可靠性，适合在高温环境下长时间运行。封装形式为符合工业标准的D-Sub法兰封装，便于散热和集成到各种射频系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 12W 28V TO-272-4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF5S19060NBR1 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-272 WB-4 |
| 其它名称 | MRF5S19060NBR1CT |
| 功率-输出 | 12W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14dB |
| 封装/外壳 | TO-272BB |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 750mA |
| 频率 | 1.99GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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