ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 > BLF245B,112
Datasheet下载- 型号： BLF245B,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF245B,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF245B,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF245B,112封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet 2 N 沟道（双）共源 28V 25mA 175MHz 18dB 30W CDFM4。您可以下载BLF245B,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF245B,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF245B,112 是由 Ampleon USA Inc. 生产的一款射频功率 MOSFET 晶体管，广泛应用于高频率、高功率的无线通信系统中。该器件特别适用于 VHF（甚高频）和 UHF（特高频）频段，典型工作频率可达 500 MHz，具备高增益、高效率和良好的热稳定性。 其主要应用场景包括：工业、科学和医疗（ISM）频段的射频能量应用，如感应加热、等离子发生和射频激励源；广播发射设备中的音频与射频功率放大，特别是 FM 广播发射机；以及陆地移动通信系统，如公共安全通信、消防、警察和交通调度用的基站放大器。 BLF245B,112 采用先进的 LDMOS 技术，支持高电压（通常为 50V 供电），能够在连续波（CW）和脉冲模式下稳定工作，适合对可靠性和输出功率要求较高的场合。其高耐用性和优异的负载失配承受能力，使其在恶劣工作环境下仍能保持稳定性能。 此外，该器件常用于替代老式真空管或双极型晶体管的现代固态功率放大器设计中，有助于提升系统集成度、降低功耗并减少维护成本。封装形式为陶瓷金属封装（Ceramic Metal Package），具有优良的散热性能和机械强度，适合高功率密度设计。 总之，BLF245B,112 是一款高性能射频功率晶体管，适用于广播、工业加热和专业通信领域的关键射频放大环节，尤其适合需要高可靠性与持续大功率输出的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF DMOS SOT279A |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF245B,112 |
| PCN封装 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | CDFM4 |
| 其它名称 | 568-2388 |
| 功率-输出 | 30W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18dB |
| 封装/外壳 | SOT-279A |
| 晶体管类型 | 2 N-通道（双） |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 25mA |
| 频率 | 175MHz |
| 额定电流 | 4.5A |
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