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Datasheet下载- 型号： BLF573,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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BLF573,112产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF573,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF573,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF573,112封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， RF Mosfet LDMOS 50V 900mA 225MHz 27.2dB 300W LDMOST。您可以下载BLF573,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF573,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc. 的 BLF573,112 是一款高性能射频MOSFET晶体管，广泛应用于高功率射频放大场合。该器件主要适用于工业、科学和医疗（ISM）频段的射频能量应用，如感应加热、介质加热和等离子体生成等。其工作频率范围宽，输出功率高，具备良好的热稳定性和可靠性，适合在恶劣环境下长时间运行。 BLF573,112 常用于广播发射机中的射频功率放大级，支持AM和FM广播系统的高效能传输。此外，在无线通信基础设施中，该器件可用于基站和高功率放大器模块，满足4G/LTE及部分5G通信系统对高线性度和高效率的需求。 由于其出色的功率处理能力和耐压性能，BLF573,112 也适用于航空、雷达和国防领域的射频子系统，例如连续波（CW）或脉冲雷达发射机。该器件采用先进的封装技术，具有优良的散热性能，可在高负载条件下保持稳定工作。 总之，BLF573,112 凭借高效率、高增益和高可靠性的特点，成为工业加热、广播传输、通信基站及军用射频系统中关键的功率放大元件，适用于需要持续高功率输出的严苛应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS HF/VHF PWR LDMOS SOT502 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF573,112 |
| PCN封装 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | LDMOST |
| 其它名称 | 568-7539 |
| 功率-输出 | 300W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 27.2dB |
| 封装/外壳 | SOT-502A |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 110V |
| 电流-测试 | 900mA |
| 频率 | 225MHz |
| 额定电流 | 42A |
