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产品简介:
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BF909R,215 是由 NXP USA Inc. 生产的一款射频晶体管,属于 FET(场效应晶体管)中的 MOSFET 类型。该型号主要应用于射频和高频信号处理领域,具有低噪声、高增益和优异的线性度等特性。以下是其主要应用场景: 1. 射频放大器: BF909R,215 适用于低噪声放大器(LNA)设计,能够有效提升射频信号的强度,同时保持较低的噪声水平。它常用于无线通信设备、卫星接收器和无线电系统中。 2. 无线通信设备: 在移动通信基站、对讲机和其他无线通信设备中,该晶体管可用于信号放大和调制解调电路,确保信号传输的质量和稳定性。 3. 射频混频器: 由于其出色的线性性能,BF909R,215 可用作射频混频器的核心元件,实现不同频率信号之间的转换,广泛应用于收音机、雷达和导航系统。 4. 高频振荡器: 该晶体管可作为高频振荡器的关键组件,生成稳定的高频信号,适用于时钟电路和信号发生器。 5. 射频开关: 在需要快速切换射频信号的应用中,BF909R,215 的低导通电阻和高速开关特性使其成为理想选择,例如多频段天线切换或信号路由控制。 6. 医疗设备: 在超声波设备和其他医疗成像系统中,该晶体管可用于放大和处理高频信号,提高诊断精度。 7. 工业与科学应用: 在高频加热、等离子体控制和电磁兼容测试设备中,BF909R,215 能够提供可靠的射频功率输出。 总结来说,BF909R,215 主要用于需要高性能射频信号处理的场景,特别是在低噪声、高增益和高频操作方面表现突出。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 7V 40MA SOT143射频MOSFET晶体管 Dual N-Channel 7V 40mA 200mW |
产品分类 | RF FET分离式半导体 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 20 mA |
Id-连续漏极电流 | 20 mA |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,NXP Semiconductors BF909R,215- |
数据手册 | |
产品型号 | BF909R,215 |
PCN封装 | |
PCN过时产品 | |
Pd-PowerDissipation | 200 mW |
Pd-功率耗散 | 200 mW |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 15 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 15 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 15 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 15 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1 V, 1.2 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 1 V, 1.2 V |
产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
供应商器件封装 | SOT-143R |
其它名称 | 568-6177-6 |
功率-输出 | - |
功率耗散 | 200 mW |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | NXP Semiconductors |
噪声系数 | 2dB |
增益 | - |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-143R |
封装/箱体 | SOT-143R |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | Dual N-Channel |
晶体管类型 | N 通道双门 |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | 15 V |
漏极连续电流 | 20 mA |
电压-测试 | 5V |
电压-额定 | 7V |
电流-测试 | 15mA |
配置 | Dual |
闸/源击穿电压 | 15 V |
频率 | 800MHz |
额定电流 | 40mA |