【未分类_BLF3G22-30,112】封装/厂家_BLF3G22-30,112中文资料_价格

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型号： BLF3G22-30,112
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BLF3G22-30,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF3G22-30,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF3G22-30,112封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BLF3G22-30,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF3G22-30,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Ampleon USA Inc.生产的BLF3G22-30,112是一款射频晶体管（RF MOSFET），主要用于高功率射频放大器应用。以下是其典型应用场景的详细说明：

 1. 广播通信
   - BLF3G22-30,112适用于广播领域的高功率射频放大器，例如AM/FM广播发射机。
   - 它能够在高频段提供稳定的功率输出，确保信号覆盖范围广且质量高。

 2. 无线通信
   - 在无线通信系统中，该器件可用于基站放大器或中继站设备。
   - 支持高频段信号传输，满足现代通信对带宽和效率的需求。

 3. 工业、科学与医疗（ISM）领域
   - 在ISM频段（如27MHz至数百MHz），这款MOSFET可用于加热、焊接、干燥等工业设备。
   - 高功率输出特性使其能够有效驱动负载，完成能量转换任务。

 4. 航空航天与国防
   - 用于雷达系统、电子对抗设备以及卫星通信中的射频功率放大。
   - 其高可靠性和高效性能满足严苛环境下的工作需求。

 5. 测试与测量设备
   - 在高性能信号发生器或频谱分析仪中，作为功率放大级的核心组件。
   - 确保测试设备具备足够的动态范围和精度。

 性能特点支持的应用优势：
   - 高功率处理能力：适合需要大功率输出的场景。
   - 宽频率范围：覆盖多种射频应用所需的频段。
   - 高效率：降低能耗并减少散热需求。
   - 高可靠性：适应恶劣环境，延长使用寿命。

总之，BLF3G22-30,112凭借其优异的射频性能，广泛应用于需要高功率、高效率射频放大的各类场景中。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANSISTOR UHF PWR LDMOS SOT608
产品分类	RF FET
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	BLF3G22-30,112
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	CDFM2
其它名称	934057338112
功率-输出	30W
包装	托盘
噪声系数	-
增益	14dB
封装/外壳	SOT-608A
晶体管类型	LDMOS
标准包装	60
电压-测试	28V
电压-额定	65V
电流-测试	450mA
频率	2.11GHz ~ 2.17GHz
额定电流	12A