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- 型号： BLF6G10L-260PBM:11
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G10L-260PBM:11由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G10L-260PBM:11价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G10L-260PBM:11封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF6G10L-260PBM:11参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G10L-260PBM:11 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF6G10L-260PBM:11 是由 Ampleon USA Inc. 生产的一款射频功率 MOSFET 晶体管，主要应用于高功率射频放大系统。该器件工作在 L 波段至 S 波段频率范围，具备高增益、高效率和出色的热稳定性，适用于连续波（CW）和脉冲工作模式。 其典型应用场景包括：民用和军用雷达系统，如空中交通管制雷达、气象雷达和地面监视雷达；高频通信基础设施，如陆基战术通信设备和宽带无线传输系统；工业加热与射频能量应用，例如等离子体生成和介质加热设备。此外，该器件也常用于电子战（EW）系统中的高功率射频干扰或对抗模块。 BLF6G10L-260PBM:11 采用高性能陶瓷封装，具备良好的散热性能和可靠性，适合在严苛环境条件下长期稳定运行。其设计支持高电压操作（通常Vd=50V），输出功率可达数百瓦，满足对高线性度和耐用性要求较高的射频系统需求。 综上，该器件广泛应用于需要高功率、高效率射频放大的军事、通信和工业领域，是现代高性能射频系统中的关键元件之一。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS LDMOS SOT1110A3/B3 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLF6G10L-260PBM:11 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CDFM8 |
| 其它名称 | 934064281118 |
| 功率-输出 | 40W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 22dB |
| 封装/外壳 | SOT-1110A |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.8A |
| 频率 | 917.5MHz ~ 962.5MHz |
| 额定电流 | 64A |
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