【未分类_PD55003TR-E】封装/厂家_PD55003TR-E中文资料_价格

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型号： PD55003TR-E
制造商： STMicroelectronics
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供PD55003TR-E由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PD55003TR-E价格参考。STMicroelectronicsPD55003TR-E封装/规格：未分类，暂无。您可以下载PD55003TR-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PD55003TR-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STMicroelectronics 的 PD55003TR-E 是一款射频MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于射频功率晶体管类别，主要用于高频信号放大和射频功率处理。该器件基于先进的LDMOS（横向双扩散MOS）技术，具备高效率、高增益和良好的热稳定性，适用于工作频率在数百MHz至数GHz范围的无线通信系统。

PD55007TR-E典型应用场景包括：  
1. 蜂窝通信基站：用于2G、3G、4G LTE宏基站和微基站的射频功率放大级，尤其适合900MHz和1.8GHz等频段，支持高线性度与高输出功率需求。  
2. 工业与广播设备：应用于射频能量加热、等离子生成、射频激励源等工业领域，以及低功率调频广播发射器中。  
3. 无线基础设施：如点对点微波通信、公共安全通信系统和专网通信设备，提供稳定可靠的射频放大性能。  
4. 测试与测量仪器：作为信号发生器或功率放大模块中的核心元件，用于高频环境下的设备校准与仿真。

该器件采用紧凑型表面贴装封装（如SOT-1220），便于集成于高密度PCB设计中，同时具备良好的散热性能。其高可靠性和耐用性也使其适用于严苛环境下的长期运行。总之，PD55003TR-E是一款面向中等射频功率应用的高性能器件，广泛服务于电信、工业和专业射频系统领域。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	IC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10
产品分类	RF FET
品牌	STMicroelectronics
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	PD55003TR-E
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	10-PowerSO
其它有关文件	http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM1987/CL1989/SC1821/PF133433?referrer=70071840
功率-输出	3W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	17dB
封装/外壳	PowerSO-10 裸露底部焊盘
晶体管类型	LDMOS
标准包装	600
电压-测试	12.5V
电压-额定	40V
电流-测试	50mA
频率	500MHz
额定电流	2.5A