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产品简介:
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型号为BF1217WR,115的射频MOSFET晶体管,由NXP USA Inc.生产,主要应用于射频(RF)信号处理领域。该器件特别适用于需要高线性度和低噪声性能的高频电路设计,常见于无线通信系统中的射频前端模块。 具体应用场景包括: 1. 无线基站:作为低噪声放大器(LNA)或驱动放大器,用于提升接收信号的强度和质量。 2. 微波通信设备:在点对点微波链路中用于信号放大,支持高频率下的稳定传输。 3. 测试与测量仪器:用于射频信号分析仪、频谱仪等设备中,确保测试精度和信号完整性。 4. 广播系统:如FM广播或电视发射系统中,用于中功率射频信号放大。 5. 工业控制系统:在需要高频信号处理的工业自动化通信模块中也有应用。 BF1217WR,115采用表面贴装封装(如SOT-343),适合高频电路布局,具备良好的热稳定性和可靠性,适用于商业及工业级工作温度范围。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH DUAL SOT343R |
产品分类 | RF FET |
品牌 | NXP Semiconductors |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | BF1217WR,115 |
PCN封装 | |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | CMPAK-4 |
其它名称 | 568-5503-6 |
功率-输出 | - |
包装 | Digi-Reel® |
噪声系数 | 1dB |
增益 | 30dB |
封装/外壳 | SC-82A,SOT-343 |
晶体管类型 | N 通道双门 |
标准包装 | 1 |
电压-测试 | 5V |
电压-额定 | 6V |
电流-测试 | 18mA |
频率 | 400MHz |
额定电流 | 30mA |