【未分类_BLF7G22L-130,118】封装/厂家_BLF7G22L-130,118中文资料_价格

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型号： BLF7G22L-130,118
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BLF7G22L-130,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF7G22L-130,118价格参考。NXP SemiconductorsBLF7G22L-130,118封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BLF7G22L-130,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF7G22L-130,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Ampleon USA Inc. 生产的 BLF7G22L-130,118 是一款射频晶体管，属于 FET（场效应晶体管）和 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。该型号主要应用于高频射频功率放大器领域，具体应用场景包括：

1. 无线通信系统：  
   适用于基站、中继站和其他无线通信设备中的射频功率放大器。其高频率和高效率特性使其成为现代通信系统（如 LTE、5G 和其他数字通信标准）的理想选择。

2. 广播系统：  
   用于 FM/AM 广播发射机的射频功率放大阶段，提供稳定的输出功率和高线性度，确保高质量的信号传输。

3. 工业、科学和医疗 (ISM) 应用：  
   在 ISM 频段内，该器件可用于各种应用，例如射频加热、等离子体生成、医疗设备（如 MRI 或射频治疗设备）以及材料处理设备。

4. 航空与国防：  
   可用于雷达系统、电子战设备和卫星通信中的射频功率放大器。其高性能和可靠性满足了军事和航空航天领域的严格要求。

5. 测试与测量设备：  
   在信号发生器、频谱分析仪和其他射频测试设备中，作为功率放大器组件使用，以提供精确且可调节的射频信号输出。

BLF7G22L-130,118 的设计结合了高增益、高效率和良好的热稳定性，能够支持宽范围的工作频率和功率水平，因此在需要高性能射频功率放大的场合中表现出色。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANSISTOR PWR LDMOS SOT502A
产品分类	RF FET
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	BLF7G22L-130,118
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	LDMOST
其它名称	934063499118
功率-输出	30W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	18.5dB
封装/外壳	SOT-502A
晶体管类型	LDMOS
标准包装	100
电压-测试	28V
电压-额定	65V
电流-测试	950mA
频率	2GHz ~ 2.2GHz
额定电流	28A