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- 型号： BLF6G10L-260PBM,11
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G10L-260PBM,11由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G10L-260PBM,11价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G10L-260PBM,11封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF6G10L-260PBM,11参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G10L-260PBM,11 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc. 的BLF6G10L-260PBM,11是一款高性能射频MOSFET晶体管，主要用于高功率射频放大应用。该器件适用于工业、科学和医疗（ISM）频段，工作频率覆盖1 MHz至500 MHz，输出功率可达260W，具备高效率和良好的热稳定性。 典型应用场景包括： 1. 射频能量应用：如感应加热、介质加热、等离子发生器等工业加热系统，利用其高功率输出实现高效能量转换。 2. 广播发射设备：用于AM/FM广播发射机中的射频功率放大级，提供稳定可靠的信号放大能力。 3. 无线通信基础设施：适用于陆地移动无线电（LMR）、公共安全通信系统等需要高可靠性和宽频带性能的场合。 4. 科研与测试设备：在实验室环境中作为高功率射频源，支持各类射频实验和产品测试。 该器件采用先进的LDMOS技术，具有优异的耐用性和抗负载失配能力，适合连续波（CW）和脉冲工作模式。其封装设计便于散热，可在严苛环境下稳定运行。BLF6G10L-260PBM,11广泛应用于对功率、效率和可靠性要求较高的中高频射频系统中，是工业与通信领域关键的功率放大元件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS LDMOS SOT1110A3/B3 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLF6G10L-260PBM,11 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CDFM8 |
| 其它名称 | 934064281112 |
| 功率-输出 | 40W |
| 包装 | 管件 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 22dB |
| 封装/外壳 | SOT-1110A |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.8A |
| 频率 | 917.5MHz ~ 962.5MHz |
| 额定电流 | 64A |
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