Datasheet下载- 型号： BLS6G3135-20,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLS6G3135-20,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLS6G3135-20,112价格参考。NXP SemiconductorsBLS6G3135-20,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLS6G3135-20,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLS6G3135-20,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc. 的 BLS6G3135-20,112 是一款高性能射频功率MOSFET晶体管，主要应用于高频率、大功率的射频系统中。该器件工作频率范围覆盖VHF至UHF波段（约30 MHz至1 GHz），具备20W的输出功率能力，具有高效率、良好热稳定性和优异的线性度，适用于对信号质量和可靠性要求较高的场景。 典型应用场景包括：广播电视发射机中的模拟与数字电视（如ATSC、DVB-T/T2）功率放大模块；工业、科学和医疗（ISM）频段设备；高保真音频广播（FM发射机）；以及公共安全通信、地面移动无线电（TETRA、P25）等专业无线通信基础设施。此外，BLS6G3135-20,112也常用于各类射频能量应用，如等离子发生器、射频加热设备等。 其坚固的封装设计（通常为陶瓷封装）可有效散热并提升在恶劣环境下的可靠性，适合7x24小时连续运行的发射系统。该器件支持高增益和良好的互调性能，有助于降低系统复杂度并提升整体能效，广泛用于需要稳定、高效射频放大的工业与通信领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS LDMOS 3.5GHZ SOT608A |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLS6G3135-20,112 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CDFM2 |
| 其它名称 | 934060062112 |
| 功率-输出 | 20W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15.5dB |
| 封装/外壳 | SOT-608A |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 32V |
| 电压-额定 | 60V |
| 电流-测试 | 50mA |
| 频率 | 3.1GHz ~ 3.5GHz |
| 额定电流 | 2.1A |
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