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Datasheet下载- 型号： RFM12U7X(TE12L,Q)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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RFM12U7X(TE12L,Q)产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RFM12U7X(TE12L,Q)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RFM12U7X(TE12L,Q)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.RFM12U7X(TE12L,Q)封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet N 通道 7.2V 750mA 520MHz 10.8dB 12W PW-X。您可以下载RFM12U7X(TE12L,Q)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RFM12U7X(TE12L,Q) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage（东芝半导体与存储）生产的RFM12U7X(TE12L,Q)是一款射频（RF）MOSFET晶体管，主要用于高频信号的放大和切换。其应用场景包括但不限于以下领域： 1. 射频功率放大器：该型号适用于无线通信系统中的射频功率放大器，能够高效放大高频信号，满足基站、中继站以及卫星通信设备的需求。 2. 广播设备：在广播电视领域，RFM12U7X可用于发射机的功率放大级，支持FM/AM广播信号的高效传输。 3. 工业、科学和医疗（ISM）应用：在ISM频段内，这款MOSFET可以用于各种设备，如无线电频率加热装置、等离子体发生器以及医疗成像设备中的信号处理部分。 4. 雷达系统：由于其出色的高频性能，RFM12U7X可应用于雷达系统的发射和接收模块，提供高增益和低噪声特性。 5. 无线数据传输：在物联网（IoT）、无线传感器网络和其他无线数据传输系统中，该器件可作为关键组件，实现高效的数据发送和接收。 6. 移动通信基础设施：支持4G/5G网络中的小型蜂窝基站和宏基站，为用户提供稳定的高速连接服务。 总结来说，RFM12U7X凭借其卓越的射频性能，在需要高效处理高频信号的各种电子设备和系统中发挥重要作用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH PW-X |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RFM12U7X(TE12L,Q) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | PW-X |
| 其它名称 | RFM12U7X(TE12LQ)CT |
| 功率-输出 | 12W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 10.8dB |
| 封装/外壳 | TO-271AA |
| 晶体管类型 | N 通道 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 7.2V |
| 电压-额定 | 20V |
| 电流-测试 | 750mA |
| 频率 | 520MHz |
| 额定电流 | 4A |
