【未分类_3SK291(TE85L,F)】封装/厂家_3SK291(TE85L,F)中文资料_价格

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型号： 3SK291(TE85L,F)
制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供3SK291(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3SK291(TE85L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.3SK291(TE85L,F)封装/规格：未分类，暂无。您可以下载3SK291(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3SK291(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

型号为 3SK291（TE85L,F） 的场效应晶体管（MOSFET），属于 射频（RF）晶体管 类别，品牌为 Toshiba Semiconductor and Storage，主要应用于需要高频信号处理的电子设备中。

该器件常用于 射频放大器 和 高频振荡器 电路中，适用于 通信设备 和 无线基础设施 等领域，如无线基站、广播设备和测试仪器。由于其良好的高频特性和稳定性，3SK291适合用于UHF（超高频）和VHF（甚高频）频段的信号放大。

此外，该MOSFET也可用于 消费类电子产品 中的射频前端模块，例如电视调谐器、无线遥控装置和FM接收器等，以实现对微弱射频信号的高效放大。

总结而言，3SK291（TE85L,F） 的主要应用场景包括：

- 射频放大器  
- 高频振荡器  
- 通信设备与无线基站  
- 广播与电视调谐系统  
- 测试与测量仪器  

其设计适合需要高增益、低噪声和稳定高频性能的应用场合。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET N-CH SMQ射频MOSFET晶体管 N-Ch High Freq 30mA 0.15W 12.5V
产品分类	RF FET分离式半导体
Id-ContinuousDrainCurrent	30 mA
Id-连续漏极电流	30 mA
品牌	Toshiba Semiconductor and StorageToshiba
产品手册	http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/lookup.jsp?pid=3SK291&lang=en
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,Toshiba 3SK291(TE85L,F)-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	3SK291(TE85L,F)3SK291(TE85L,F)
Pd-PowerDissipation	150 mW
Pd-功率耗散	150 mW
产品种类	射频MOSFET晶体管
产品类型	High Frequency MOSFET
供应商器件封装	SMQ
其它名称	3SK291(TE85LF)CT
功率-输出	-
功率耗散	150 mW
包装	剪切带（CT）
商标	Toshiba
噪声系数	2.5dB
增益	22.5dB22.5 dB
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	SC-61AA
封装/箱体	SOT-24
工厂包装数量	3000
技术	MOSFET
晶体管极性	N-Channel
晶体管类型	N 通道双门
标准包装	1
漏极连续电流	30 mA
电压-测试	6V
电压-额定	12.5V
电流-测试	10mA
类型	TV UHF Amplifier
配置	Dual
频率	800MHz800 MHz
额定电流	30mA