Datasheet下载- 型号： BLF8G10LS-160,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF8G10LS-160,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF8G10LS-160,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF8G10LS-160,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF8G10LS-160,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF8G10LS-160,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF8G10LS-160,112 是由 Ampleon USA Inc. 生产的一款高性能射频功率 MOSFET 晶体管，主要应用于高功率射频放大系统。该器件工作频率范围宽，典型用于 700–1000 MHz 频段，具备高增益、高效率和出色的热稳定性，适合大功率发射场景。 其主要应用场景包括： 1. 广播发射系统：广泛用于 UHF 电视广播发射机中，作为末级功率放大器，支持高清晰度数字电视信号的稳定传输。 2. 工业、科学和医疗（ISM）设备：在 900 MHz 左右频段的射频能量应用中，如等离子发生器、射频加热与干燥设备等，提供稳定的高功率输出。 3. 公共安全与通信基础设施：适用于陆地移动无线系统（如 TETRA、P25 等），支持应急通信基站的高可靠性信号覆盖。 4. 雷达与航空通信：可用于低功率雷达系统或航空导航设备中的射频放大模块，满足严苛环境下的运行需求。 该器件采用先进的 LDMOS 技术，支持高电压（典型50V工作电压）操作，并具备良好的抗驻波比（VSWR）能力，增强了在复杂负载条件下的可靠性。其封装形式便于散热设计，适合连续波（CW）和高调制信号工作。 综上，BLF8G10LS-160,112 是面向广播、通信与工业领域的关键射频功率放大元件，适用于对输出功率、能效和长期稳定性要求较高的系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR LDMOST |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF8G10LS-160,112 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT502B |
| 其它名称 | 934065908112 |
| 功率-输出 | 35W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 19dB |
| 封装/外壳 | SOT-502B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 30V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.1A |
| 频率 | 920MHz ~ 960MHz |
| 额定电流 | 56A |
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