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- 型号： MRFG35010ANR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRFG35010ANR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFG35010ANR5价格参考。Freescale SemiconductorMRFG35010ANR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRFG35010ANR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFG35010ANR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为MRFG35010ANR5的射频MOSFET晶体管，由NXP USA Inc.生产，主要应用于射频（RF）功率放大领域。该器件适用于工作频率在VHF/UHF频段的通信系统，如广播、无线基础设施、工业和商业无线电设备等。 MRFG35010ANR5具有高功率增益和良好的线性性能，适合用于需要高效率和稳定性的射频放大电路。典型应用场景包括： 1. 无线通信基站：作为射频功率放大器，用于增强发射信号强度，支持如蜂窝网络（4G/5G）、点对点微波通信等。 2. 广播发射机：应用于FM广播或电视发射系统中，提供稳定的射频输出。 3. 工业与医疗射频设备：如射频加热、等离子体发生器、医疗治疗设备中的功率控制模块。 4. 测试与测量仪器：用于射频信号发生器或功率放大模块，支持科研和生产测试需求。 该器件采用先进的MOSFET工艺，具备良好的热稳定性和抗失真能力，适合在高可靠性要求的工业环境中使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF 10W 12V PWR FET NI360HF |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRFG35010ANR5 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm |
| rohs | 含铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-360HF |
| 其它名称 | MRFG35010ANR5DKR |
| 功率-输出 | 10W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 10dB |
| 封装/外壳 | NI-360HF |
| 晶体管类型 | pHEMT FET |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 12V |
| 电压-额定 | 15V |
| 电流-测试 | 140mA |
| 频率 | 3.55GHz |
| 额定电流 | 2.9A |
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