Datasheet下载- 型号： MRF137
- 制造商： M/A-COM
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF137由M/A-COM设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF137价格参考￥231.18-￥290.28。M/A-COMMRF137封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF137参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF137 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
M/A-Com Technology Solutions（现为MACOM）的MRF137是一款高性能射频场效应晶体管（RF MOSFET），属于N沟道增强型功率MOSFET，专为高频、高功率射频应用设计。该器件广泛应用于工作频率在VHF至UHF波段（通常覆盖30 MHz至500 MHz）的射频放大系统中。 MRF137典型的应用场景包括：工业、科学和医疗（ISM）频段的射频能量设备，如感应加热、等离子发生器和射频激励电源；无线电通信系统中的高功率线性放大器，例如FM广播发射机、业余无线电设备及专业对讲系统；还可用于航空通信、雷达系统以及各类高可靠性军事与民用射频平台。 该器件具备高增益、良好的热稳定性和优异的输出功率能力，能在较高的电压下稳定工作，适合连续波（CW）和调制信号放大。其坚固的封装设计有助于高效散热，提升系统长期运行的可靠性。此外，MRF137符合RoHS标准，适用于现代环保要求较高的电子设备制造。 综上所述，MRF137主要用于需要高效率、高稳定性的中高频射频功率放大的工业与通信领域，是构建可靠射频功率级的理想选择之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | FET RF N-CH 400MHZ 28V 211-07射频MOSFET晶体管 5-400MHz 30Watts 28Volt Gain 13dB |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5 A |
| Id-连续漏极电流 | 5 A |
| 品牌 | MACOMM/A-Com Technology Solutions |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,MACOM MRF137- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MRF137MRF137 |
| Pd-PowerDissipation | 100 W |
| Pd-功率耗散 | 100 W |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 65 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 65 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 40 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 40 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
| 供应商器件封装 | 211-07， 2 型 |
| 其它名称 | 1465-1148 |
| 功率-输出 | 30W |
| 功率耗散 | 100 W |
| 包装 | 托盘 |
| 商标 | MACOM |
| 噪声系数 | 1.5dB |
| 增益 | 13 dB at 150 MHz7.7dB ~ 16dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tray |
| 封装/外壳 | 211-07 |
| 封装/箱体 | Case 211-07 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | N 通道 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 20 |
| 汲极/源极击穿电压 | 65 V |
| 漏极连续电流 | 5 A |
| 电压-测试 | 28VDC |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 25mA |
| 输出功率 | 30 W |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 40 V |
| 频率 | 400 MHz150MHz ~ 400MHz |
| 额定电流 | 5A |
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