Datasheet下载- 型号： MRF6V2300NR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6V2300NR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6V2300NR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF6V2300NR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6V2300NR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6V2300NR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 的 MRF6V2300NR1 是一款高功率射频MOSFET晶体管，主要用于工业、科学和医疗（ISM）频段的射频功率放大。其典型应用场景包括： 1. 射频能量应用：广泛用于感应加热、介质加热、等离子发生等工业加热系统，适用于食品加工、半导体制造和材料处理等领域。 2. 医疗设备：在射频消融、理疗设备等医疗仪器中作为射频功率源，提供稳定高效的能量输出。 3. 无线通信基础设施：适用于UHF频段的广播发射机和高功率放大器模块，支持模拟与数字电视信号传输。 4. 科研与测试设备：用于实验室中的射频信号发生器和功率放大系统，满足高稳定性和宽频带需求。 该器件工作频率可达250 MHz以下，具备高增益、优良的热稳定性和耐用性，采用坚固的氮化铝陶瓷封装，适合在高温、高负载环境下长期运行。其设计优化了散热性能，确保在连续波（CW）和脉冲模式下均能高效工作，是高可靠性射频功率应用的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH TO-270-4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF6V2300NR1 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-270 WB-4 |
| 其它名称 | MRF6V2300NR1DKR |
| 功率-输出 | 300W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 25.5dB |
| 封装/外壳 | TO-270AB |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 110V |
| 电流-测试 | 900mA |
| 频率 | 220MHz |
| 额定电流 | 2.5mA |
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