ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 > BLF6G20-45,112
Datasheet下载- 型号： BLF6G20-45,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G20-45,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G20-45,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G20-45,112封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet LDMOS 28V 360mA 1.8GHz ~ 1.88GHz 19.2dB 2.5W CDFM2。您可以下载BLF6G20-45,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G20-45,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc. 的BLF6G20-45,112是一款高性能射频功率MOSFET晶体管，广泛应用于高频率、高功率的无线通信系统中。该器件工作频率可达2.0 GHz以下，输出功率高达450 W（连续波），具备优良的增益和效率，适用于大功率射频放大器设计。 其主要应用场景包括：民用与军用雷达系统，在脉冲或连续波模式下提供稳定高功率输出；陆地移动通信基站，特别是在公共安全、应急通信等需要高可靠性的系统中；工业、科学和医疗（ISM）频段设备，如射频加热、等离子发生和材料处理设备；此外，还用于广播发射机，支持FM和数字音频广播（DAB）的高效率功率放大。 BLF6G20-45,112采用先进的LDMOS技术，具有良好的热稳定性和耐用性，可在高驻波比（VSWR）条件下工作，具备较强的抗负载失配能力，适合在严苛环境中长期运行。其封装形式为陶瓷封装，散热性能优异，便于集成于风冷或水冷散热系统中。 总之，BLF6G20-45,112凭借高功率、高效率和高可靠性，成为现代射频系统中关键的功率放大元件，尤其适用于对稳定性与输出性能要求较高的专业通信和工业领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR BASESTATION SOT-608A |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF6G20-45,112 |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CDFM2 |
| 其它名称 | 568-8665 |
| 功率-输出 | 2.5W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 19.2dB |
| 封装/外壳 | SOT-608A |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 360mA |
| 频率 | 1.8GHz ~ 1.88GHz |
| 额定电流 | 13A |
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