Datasheet下载- 型号： MR25H40MDFR
- 制造商： EVERSPIN TECHNOLOGIES
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MR25H40MDFR由EVERSPIN TECHNOLOGIES设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MR25H40MDFR价格参考。EVERSPIN TECHNOLOGIESMR25H40MDFR封装/规格：存储器， MRAM（磁阻式 RAM） 存储器 IC 4Mb （512K x 8） SPI 40MHz 8-DFN-EP，小标志（5x6）。您可以下载MR25H40MDFR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MR25H40MDFR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Everspin Technologies 的 MR25H40MDFR 是一款 4Mb（512K × 8）的串行SPI接口MRAM（磁阻随机存取存储器），采用40nm工艺，支持工业级温度范围（–40°C 至 +85°C），具备非易失性、高速读写（最高40MHz SPI时钟）、无限次读写寿命及抗辐射/抗冲击特性。 其典型应用场景包括： - 工业自动化与PLC：在断电瞬间即时保存运行参数、I/O状态或故障日志，无需备用电池或电容，提升系统可靠性； - 汽车电子：用于ADAS控制器、车载网关或域控制器中存储校准数据、事件记录（如碰撞前数据）和配置信息，满足AEC-Q100 Grade 2可靠性要求； - 医疗设备：在便携式监护仪、输液泵等需高可靠性数据记录的场景中，确保关键操作日志、患者设置和报警历史在意外断电时零丢失； - 网络与通信设备：用作路由器、交换机中的配置缓存或FPGA配置存储，实现毫秒级快速启动与掉电保护； - 航天与军工嵌入式系统：凭借抗辐照、耐高低温及强振动稳定性，适用于卫星遥测存储、无人机飞控黑匣子等严苛环境。 该器件替代传统EEPROM、Flash或带电池SRAM，在需“实时非易失写入+高耐久性+宽温稳定”的边缘智能终端中具有显著优势。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC MRAM 4MBIT 40MHZ 8DFN |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Everspin Technologies Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MR25H40MDFR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 8-DFN-EP，小标志 （5x6） |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 存储器类型 | MRAM（磁阻 RAM） |
| 存储容量 | 4M （512K x 8） |
| 封装/外壳 | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 接口 | SPI 串行 |
| 标准包装 | 4,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 40MHz |
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