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产品简介:
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NXP USA Inc. 的 MRF8S21140HSR5 是一款高性能射频功率 MOSFET 晶体管,属于 NXP 第八代横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术产品,专为高功率射频放大应用设计。该器件主要应用于工作频率在 806 MHz 至 960 MHz 范围内的无线通信系统。 典型应用场景包括:陆地移动无线电(如公共安全通信、消防、警察等专业对讲系统)、蜂窝基站基础设施(如4G LTE 和向5G过渡的宏基站)、以及工业、科学和医疗(ISM)频段中的高功率射频放大器。MRF8S21140HSR5 具备高增益、高效率和出色的热稳定性,适合在大功率输出条件下长时间稳定运行,特别适用于需要高线性度和可靠性的多载波放大环境。 此外,该器件采用坚固的塑料封装,具备良好的散热性能和成本优势,广泛用于需要紧凑设计和高效能表现的射频功率放大模块中。其高耐用性和抗负载失配能力也使其在复杂电磁环境中保持稳定工作,是现代数字与模拟无线通信系统中的关键组件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | FET RF N-CH 2GHZ 28V NI780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF8S21140HSR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 34W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17.9dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 970mA |
| 频率 | 2.14GHz |
| 额定电流 | - |