Datasheet下载- 型号： BF861A,215
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BF861A,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BF861A,215价格参考。NXP SemiconductorsBF861A,215封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BF861A,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BF861A,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BF861A,215 是由 NXP USA Inc. 生产的一款射频场效应晶体管（RF FET），属于MOSFET类别，主要用于高频、低噪声的射频放大应用。该器件采用先进的硅锗碳（SiGe:C）技术制造，具备优异的高频性能和低噪声系数，适用于工作频率高达几GHz的场合。 典型应用场景包括： 1. 无线通信系统：广泛用于GSM、CDMA、WCDMA、LTE等移动通信基础设施中的低噪声放大器（LNA），提升接收灵敏度。 2. 射频前端模块：在基站和终端设备中作为射频信号的初级放大，增强弱信号接收能力。 3. 电视与广播接收设备：用于UHF/VHF频段的调谐器中，提高信号接收质量，常见于数字电视（DTV）和机顶盒。 4. 物联网（IoT）与无线传感器网络：适用于需要高灵敏度射频接收的低功耗无线模块。 5. 雷达与监控系统：在短距离雷达或监控设备中作为高频信号放大元件。 BF861A,215具有高增益、低功耗和良好的线性度，适合对噪声性能要求较高的应用。其SOT23封装便于表面贴装，节省PCB空间，适合紧凑型设计。总体而言，该器件适用于各类高性能、低噪声的射频接收电路，是现代无线通信系统中的关键组件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | JFET N-CH 25V 10MA SOT23-3射频JFET晶体管 TAPE7 FET-RFSS |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-连续漏极电流 | 6.5 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,NXP Semiconductors BF861A,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BF861A,215 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 250 mW |
| Pd-功率耗散 | 250 mW |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 25 V |
| Vgs=0时的漏-源电流 | 2 mA to 6.5 mA |
| 产品 | RF JFET |
| 产品种类 | 射频JFET晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-8477-2 |
| 功率-输出 | - |
| 功率耗散 | 250 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | - |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | N 通道 JFET |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大漏极/栅极电压 | 25 V |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源电压VDS | 25 V |
| 电压-测试 | - |
| 电压-额定 | 25V |
| 电流-测试 | - |
| 类型 | Silicon |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | - 25 V |
| 闸/源截止电压 | - 0.2 V to - 1 V |
| 零件号别名 | BF861A T/R |
| 频率 | - |
| 额定电流 | 6.5mA |
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