Datasheet下载- 型号： MRF6S18060NBR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S18060NBR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S18060NBR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S18060NBR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S18060NBR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S18060NBR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为MRF6S18060NBR1的射频MOSFET晶体管，主要应用于无线通信领域的射频功率放大器设计中。该器件由NXP USA Inc.生产，属于高功率射频MOSFET，适用于蜂窝基站、广播发射机、工业与医疗射频设备等需要高效率、高稳定性的应用场景。其主要特点包括高输出功率、良好的线性度以及在高频段的稳定性能，使其广泛用于2G、3G、4G甚至部分5G前传基站系统中的射频信号放大。此外，该器件也适用于广播发射系统，如调频广播和电视发射机中作为主功率放大器件。由于其高可靠性和耐用性，MRF6S18060NBR1也被用于恶劣环境下的通信设备中，如户外基站、应急通信系统等。总之，该晶体管主要面向需要高功率、高效率和高频性能的专业射频应用领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 26V 60W TO272-4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF6S18060NBR1 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-272 WB-4 |
| 功率-输出 | 25W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15dB |
| 封装/外壳 | TO-272BB |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 26V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 450mA |
| 频率 | 1.81GHz ~ 1.88GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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