Datasheet下载- 型号： BLP10H603Z
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLP10H603Z由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLP10H603Z价格参考。NXP SemiconductorsBLP10H603Z封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLP10H603Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLP10H603Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLP10H603Z是Ampleon USA Inc.生产的一款射频MOSFET晶体管，主要用于高功率射频放大器应用。该器件适用于工作频率范围较宽的场景，具有高效率、高可靠性和良好的热稳定性。 其主要应用场景包括： 1. 无线通信基站：用于4G/5G基站中的射频功率放大器，提供高线性度和效率，满足现代通信系统对高数据速率和频谱效率的要求。 2. 广播发射设备：应用于FM广播、电视广播等发射系统中，作为主功率放大器，提供稳定的射频输出。 3. 工业与医疗射频设备：如射频加热、等离子体发生器、医疗治疗设备等，BLP10H603Z可提供稳定的高功率输出，适用于多种工业射频能源应用。 4. 雷达与测试设备：用于雷达发射机和射频测试仪器中，作为高功率射频信号放大元件，支持脉冲或连续波操作。 5. 航空航天与国防：在军用通信、电子战和雷达系统中，该器件可满足高可靠性与高性能要求。 该器件通常采用先进的封装技术，便于散热和集成，适用于高功率密度设计。在使用时需配合适当的散热器和匹配网络，以确保其性能和寿命。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR DVR LDMOS 3W 12HVSON |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLP10H603Z |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | * |
| 其它名称 | 934068213515 |
| 标准包装 | 500 |
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