【晶体管 - FET，MOSFET - 单_IRFB4310ZGPBF】封装/厂家_IRFB4310ZGPBF中文资料_价格

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详细数据请看参考数据手册

型号： IRFB4310ZGPBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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IRFB4310ZGPBF产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB4310ZGPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB4310ZGPBF价格参考。International RectifierIRFB4310ZGPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 100V 120A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB。您可以下载IRFB4310ZGPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFB4310ZGPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 100V 120A TO-220ABMOSFET MOSFT 100V 127A 6mOhm 120nC
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	127 A
Id-连续漏极电流	127 A
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFB4310ZGPBFHEXFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRFB4310ZGPBF
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
PCN过时产品	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	250 W
Pd-功率耗散	250 W
Qg-GateCharge	120 nC
Qg-栅极电荷	120 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	4.8 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	4.8 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	100 V
Vds-漏源极击穿电压	100 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 150µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	6860pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	170nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	6 毫欧 @ 75A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-220AB
功率-最大值	250W
功率耗散	250 W
包装	管件
商标	International Rectifier
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
导通电阻	4.8 mOhms
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3
封装/箱体	TO-220-3
工厂包装数量	50
晶体管极性	N-Channel
栅极电荷Qg	120 nC
标准包装	50
汲极/源极击穿电压	100 V
漏极连续电流	127 A
漏源极电压(Vdss)	100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	120A （Tc）
闸/源击穿电压	20 V