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IRFB4310ZGPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB4310ZGPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB4310ZGPBF价格参考。International RectifierIRFB4310ZGPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 120A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRFB4310ZGPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFB4310ZGPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRFB4310ZGPBF是一款单通道MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),广泛应用于各种电力电子设备中。这款MOSFET具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,适用于多种应用场景。 1. 电源管理 IRFB4310ZGPBF常用于开关电源(SMPS)设计中,作为功率级开关元件。其低导通电阻(Rds(on))能够减少传导损耗,提高电源转换效率。此外,该器件的快速开关特性有助于降低开关损耗,适用于DC-DC转换器、AC-DC适配器等应用。 2. 电机驱动 在电机控制领域,IRFB4310ZGPBF可以用于无刷直流电机(BLDC)、步进电机和其他类型电机的驱动电路中。它能够承受较高的电流和电压波动,确保电机在不同负载条件下的稳定运行。通过精确控制MOSFET的开关状态,可以实现高效的电机调速和定位控制。 3. 电池管理系统(BMS) 在电池管理系统中,IRFB4310ZGPBF可用于电池充放电保护电路。它可以在过流、短路或过温等异常情况下迅速切断电路,保护电池组的安全。此外,MOSFET的低导通电阻有助于减少电池充放电过程中的能量损失,延长电池寿命。 4. 工业自动化 在工业自动化系统中,IRFB4310ZGPBF可用于驱动执行器、电磁阀、继电器等负载。其高可靠性和耐用性使其能够在恶劣的工业环境中长期稳定工作。同时,MOSFET的快速响应能力有助于提高系统的实时性和控制精度。 5. 消费电子产品 IRFB4310ZGPBF还适用于消费电子产品中的电源管理和信号切换。例如,在笔记本电脑、平板电脑、智能手机等设备中,它可以用于USB充电接口的电源管理,确保安全可靠的充电过程。此外,MOSFET还可以用于音频放大器中的信号切换,提供高效且低噪声的信号传输。 总之,IRFB4310ZGPBF凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于电源管理、电机驱动、电池保护、工业自动化以及消费电子产品等多个领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 100V 120A TO-220ABMOSFET MOSFT 100V 127A 6mOhm 120nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 127 A |
Id-连续漏极电流 | 127 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFB4310ZGPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRFB4310ZGPBF |
PCN组件/产地 | |
PCN过时产品 | |
Pd-PowerDissipation | 250 W |
Pd-功率耗散 | 250 W |
Qg-GateCharge | 120 nC |
Qg-栅极电荷 | 120 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.8 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 4.8 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 150µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6860pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 170nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 6 毫欧 @ 75A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB |
功率-最大值 | 250W |
功率耗散 | 250 W |
包装 | 管件 |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 4.8 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
栅极电荷Qg | 120 nC |
标准包装 | 50 |
汲极/源极击穿电压 | 100 V |
漏极连续电流 | 127 A |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 120A (Tc) |
闸/源击穿电压 | 20 V |