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  • 型号: IRFB4310ZGPBF
  • 制造商: International Rectifier
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IRFB4310ZGPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB4310ZGPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB4310ZGPBF价格参考。International RectifierIRFB4310ZGPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 120A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRFB4310ZGPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFB4310ZGPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies的IRFB4310ZGPBF是一款单通道MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),广泛应用于各种电力电子设备中。这款MOSFET具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,适用于多种应用场景。

 1. 电源管理
   IRFB4310ZGPBF常用于开关电源(SMPS)设计中,作为功率级开关元件。其低导通电阻(Rds(on))能够减少传导损耗,提高电源转换效率。此外,该器件的快速开关特性有助于降低开关损耗,适用于DC-DC转换器、AC-DC适配器等应用。

 2. 电机驱动
   在电机控制领域,IRFB4310ZGPBF可以用于无刷直流电机(BLDC)、步进电机和其他类型电机的驱动电路中。它能够承受较高的电流和电压波动,确保电机在不同负载条件下的稳定运行。通过精确控制MOSFET的开关状态,可以实现高效的电机调速和定位控制。

 3. 电池管理系统(BMS)
   在电池管理系统中,IRFB4310ZGPBF可用于电池充放电保护电路。它可以在过流、短路或过温等异常情况下迅速切断电路,保护电池组的安全。此外,MOSFET的低导通电阻有助于减少电池充放电过程中的能量损失,延长电池寿命。

 4. 工业自动化
   在工业自动化系统中,IRFB4310ZGPBF可用于驱动执行器、电磁阀、继电器等负载。其高可靠性和耐用性使其能够在恶劣的工业环境中长期稳定工作。同时,MOSFET的快速响应能力有助于提高系统的实时性和控制精度。

 5. 消费电子产品
   IRFB4310ZGPBF还适用于消费电子产品中的电源管理和信号切换。例如,在笔记本电脑、平板电脑、智能手机等设备中,它可以用于USB充电接口的电源管理,确保安全可靠的充电过程。此外,MOSFET还可以用于音频放大器中的信号切换,提供高效且低噪声的信号传输。

总之,IRFB4310ZGPBF凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于电源管理、电机驱动、电池保护、工业自动化以及消费电子产品等多个领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 100V 120A TO-220ABMOSFET MOSFT 100V 127A 6mOhm 120nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

127 A

Id-连续漏极电流

127 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFB4310ZGPBFHEXFET®

数据手册

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产品型号

IRFB4310ZGPBF

PCN组件/产地

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PCN过时产品

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Pd-PowerDissipation

250 W

Pd-功率耗散

250 W

Qg-GateCharge

120 nC

Qg-栅极电荷

120 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

4.8 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

4.8 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 150µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

6860pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

170nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

6 毫欧 @ 75A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

功率-最大值

250W

功率耗散

250 W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

4.8 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

栅极电荷Qg

120 nC

标准包装

50

汲极/源极击穿电压

100 V

漏极连续电流

127 A

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

120A (Tc)

闸/源击穿电压

20 V

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