Datasheet下载- 型号： SI5486DU-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI5486DU-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI5486DU-T1-GE3价格参考。VishaySI5486DU-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI5486DU-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI5486DU-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI5486DU-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，主要应用于需要高效功率控制和低导通电阻的场合。其典型应用场景包括： 1. 电源管理：用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关等电源电路中，提供高效能和低损耗的功率控制。 2. 电池供电设备：适用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携设备中的电池充放电管理和电源开关控制。 3. 电机驱动与负载控制：用于小型电机、继电器、电磁阀等负载的开关控制，具备良好的热稳定性和快速响应能力。 4. 工业控制系统：在工业自动化设备中作为功率开关元件，控制各种执行机构的运行。 5. 汽车电子：适用于车载电源系统、LED 照明驱动、车载充电器等对可靠性要求较高的汽车应用场合。 该器件采用小型封装（如 TSSOP），适合高密度 PCB 设计，具备良好的导通性能和较高的可靠性，适用于中低功率应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFETMOSFET 20V 12A 31W 15mohm @ 4.5V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 11.6 A |
| Id-连续漏极电流 | 11.6 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI5486DU-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI5486DU-T1-GE3SI5486DU-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 3.1 W |
| Pd-功率耗散 | 3.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 15 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 15 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 15 ns, 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2100pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 54nC @ 8V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 15 毫欧 @ 7.7A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-PowerPak® ChipFet |
| 其它名称 | SI5486DU-T1-GE3TR |
| 典型关闭延迟时间 | 50 ns, 55 ns |
| 功率-最大值 | 31W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 15 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerPak® CHIPFET™ |
| 封装/箱体 | PowerPAK-8 ChipFET Single |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 11.6 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI5486DU-GE3 |
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