Datasheet下载- 型号： BLM7G1822S-40PBY
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLM7G1822S-40PBY由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLM7G1822S-40PBY价格参考。NXP SemiconductorsBLM7G1822S-40PBY封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLM7G1822S-40PBY参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLM7G1822S-40PBY 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLM7G1822S-40PBY是由Ampleon USA Inc.生产的一款射频MOSFET晶体管，主要应用于高功率射频放大器领域。该器件适用于工作频率在700MHz至1000MHz范围内，具备高效率、高线性度和高可靠性等特点，广泛用于以下场景： 1. 无线通信基站：如4G LTE和5G通信系统中的功率放大器模块，支持高数据速率和广覆盖范围。 2. 广播系统：用于数字电视（DTV）和调频广播（FM）发射设备中的射频功率放大，确保信号稳定传输。 3. 工业与医疗射频设备：如射频加热、等离子体发生器及医疗治疗设备中的功率控制单元。 4. 雷达与测试仪器：适用于雷达发射机和射频测试设备中的高功率放大环节，满足高精度和高稳定性要求。 该器件采用高耐用性封装，具备良好的热管理和高电压耐受能力，适合长时间高负荷运行环境。其高效率特性有助于降低能耗和散热需求，提升系统整体性能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC MMIC DUAL 2-STAGE 16HSOPF |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLM7G1822S-40PBY |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 16-HSOP |
| 其它名称 | 934068086518 |
| 功率-输出 | 4W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 31dB |
| 封装/外壳 | SOT-1211-1 |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 40mA |
| 频率 | 1.81GHz ~ 2.17GHz |
| 额定电流 | - |
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