Datasheet下载- 型号： BLP10H605Z
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLP10H605Z由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLP10H605Z价格参考。NXP SemiconductorsBLP10H605Z封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLP10H605Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLP10H605Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLP10H605Z 是由 Ampleon USA Inc. 生产的一款射频晶体管，属于 FET（场效应晶体管）和 MOSFET 类型。该型号专为射频功率放大器应用设计，适用于高频通信领域。以下是其主要应用场景： 1. 广播系统 BLP10H605Z 可用于 AM/FM 广播系统的射频功率放大器中，提供高效率和高线性度的信号放大功能，确保广播信号的稳定传输。 2. 无线通信基础设施 该器件适用于基站、中继站和其他无线通信设备中的射频功率放大器模块，支持高效的信号发射与覆盖范围扩展。 3. 工业、科学和医疗 (ISM) 领域 在 ISM 频段的应用中，例如微波加热、等离子体生成或射频治疗设备，BLP10H605Z 能够实现高功率输出和稳定的性能表现。 4. 航空航天与国防 此型号可用于雷达系统、卫星通信和电子对抗设备中的射频功率放大器，满足高可靠性要求并提供强大的信号处理能力。 5. 测试与测量设备 在实验室或生产环境中，BLP10H605Z 可集成到信号发生器或频谱分析仪等测试设备中，用于生成和放大高质量的射频信号。 特性总结： - 高功率输出：适合需要大功率射频信号放大的场景。 - 高效率：降低能耗，减少热量产生，提升系统整体效率。 - 宽频率范围：覆盖多种射频应用需求。 - 高可靠性：能够在严苛环境下保持稳定工作。 综上所述，BLP10H605Z 主要应用于需要高效、高功率射频信号放大的场合，广泛服务于通信、工业、医疗及国防等领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR DVR LDMOS 5W 12HVSON |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLP10H605Z |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 12-HVSON （5x6） |
| 其它名称 | 934068214515 |
| 功率-输出 | 5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | - |
| 封装/外壳 | 12-VDFN 裸露焊盘 |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 104V |
| 电流-测试 | 30mA |
| 频率 | 860MHz |
| 额定电流 | - |
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