Datasheet下载- 型号： BLA6G1011-200R,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLA6G1011-200R,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLA6G1011-200R,112价格参考。NXP SemiconductorsBLA6G1011-200R,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLA6G1011-200R,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLA6G1011-200R,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLA6G1011-200R,112是Ampleon USA Inc.生产的一款射频功率MOSFET晶体管，主要用于高功率射频放大应用。该器件特别适用于工作频率在6GHz以下的无线通信基础设施，如蜂窝基站、广播发射机和工业、科学及医疗（ISM）频段设备。 该型号具备高输出功率、高效率和高可靠性的特点，适合用于基站的功率放大器模块，支持4G LTE和5G NR等现代通信标准。其优良的热稳定性和耐用性也使其适用于需要长时间连续运行的高要求场景。 此外，BLA6G1011-200R,112还可用于广播领域的高功率发射设备，如调频（FM）和电视广播发射机，提供稳定且高效的射频能量输出。在工业应用中，该器件也可支持射频加热、等离子体生成等需要高功率射频源的设备。 总之，BLA6G1011-200R,112是一款面向通信基础设施、广播系统和工业射频应用的高性能射频功率MOSFET器件，具备广泛的应用适应性和稳定性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PWR LDMOS 200W SOT502A |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLA6G1011-200R,112 |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | LDMOST |
| 其它名称 | 568-7544 |
| 功率-输出 | 200W |
| 包装 | 散装 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 20dB |
| 封装/外壳 | SOT-502A |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 100mA |
| 频率 | 1.03GHz ~ 1.09GHz |
| 额定电流 | 49A |
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