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型号： BF5030WH6327XTSA1
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BF5030WH6327XTSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BF5030WH6327XTSA1价格参考。InfineonBF5030WH6327XTSA1封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BF5030WH6327XTSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BF5030WH6327XTSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies（英飞凌）的BF5030WH6327XTSA1是一款射频MOSFET晶体管，主要用于高频射频（RF）功率放大应用。该器件适用于工作频率范围较宽的通信系统，如蜂窝基站、无线基础设施、广播设备和工业射频设备。

该器件采用先进的MOSFET技术，具有高功率密度、高效率和良好的热稳定性，能够在较高的频率下（通常在几十MHz到1GHz范围内）提供稳定的功率放大性能。其高耐用性和可靠性使其适用于需要长时间连续运行的通信设备。

典型应用场景包括：

1. 蜂窝通信基站：用于GSM、CDMA、WCDMA、LTE等无线通信系统的射频功率放大模块；
2. 广播发射机：用于FM广播或电视广播的射频功率放大；
3. 工业和医疗射频设备：如射频加热、等离子体发生器、医疗射频治疗设备等；
4. 宽带无线接入系统：如WiMAX等无线网络基础设施；
5. 测试与测量设备：用于射频信号源或功率放大测试模块。

该MOSFET器件通常采用表面贴装封装（如SMD），便于自动化生产和良好的散热设计，适合在高功率密度要求的电路中使用。

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