ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 > PD84006L-E
Datasheet下载- 型号： PD84006L-E
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
PD84006L-E产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PD84006L-E由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PD84006L-E价格参考。STMicroelectronicsPD84006L-E封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet LDMOS 7.5V 150mA 870MHz 15dB 2W PowerFLAT™（5x5）。您可以下载PD84006L-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PD84006L-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的PD84006L-E是一款射频MOSFET晶体管，主要应用于射频功率放大领域。该器件适用于工作频率在UHF（特高频）至微波频段范围内的无线通信系统，如蜂窝基站、无线基础设施设备和工业用射频设备等。 PD84006L-E具备高增益、高效率以及良好的线性性能，适合用于基站中的多载波功率放大器设计，支持多种通信标准，包括GSM、WCDMA、LTE等。此外，其优良的热稳定性和可靠性也使其能够在较为严苛的工作环境下保持稳定运行。 总的来说，PD84006L-E广泛用于现代通信设备中的射频信号放大环节，特别是在对输出功率与效率有较高要求的场景中表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS RF POWER LDMOST |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PD84006L-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | PowerFLAT™（5x5） |
| 其它名称 | 497-8288-2 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM1987/CL1989/SC1820/PF185330?referrer=70071840 |
| 功率-输出 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15dB |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 3,000 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ST/pd8.html |
| 电压-测试 | 7.5V |
| 电压-额定 | 25V |
| 电流-测试 | 150mA |
| 频率 | 870MHz |
| 额定电流 | 5A |
