Datasheet下载- 型号： MRFE6VS25GNR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRFE6VS25GNR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFE6VS25GNR1价格参考。Freescale SemiconductorMRFE6VS25GNR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRFE6VS25GNR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFE6VS25GNR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRFE6VS25GNR1是NXP USA Inc.生产的一款高性能射频MOSFET晶体管，主要用于高功率射频放大应用。该器件基于LDMOS（横向双扩散金属氧化物半导体）技术，工作频率范围宽，输出功率高，具有优异的热稳定性和可靠性，适用于严苛的射频环境。 典型应用场景包括：工业、科学和医疗（ISM）频段的射频能量系统，如感应加热、等离子体生成和射频消融设备；广播领域的大功率AM和FM发射机；以及陆地移动无线电（LMR）基站，支持公共安全、交通运输等通信系统。此外，该器件也适用于军用和民用雷达系统中的射频功率放大环节。 MRFE6VS25GNR1采用先进的封装技术，具备良好的散热性能，可在高电压、高驻波比（VSWR）条件下稳定工作，增强了系统的鲁棒性。其高增益和高效率特性有助于降低系统功耗，减少冷却需求，适用于紧凑型高功率射频设计。 综上，MRFE6VS25GNR1广泛应用于需要高可靠性、高功率输出的射频系统中，尤其适合ISM、广播、通信基站和雷达等领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC RF TRANS 25W 50V TO-270-2 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRFE6VS25GNR1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-270-2 鸥翼型 |
| 功率-输出 | 25W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 25.4dB |
| 封装/外壳 | TO-270-2 鸥翼型 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 133V |
| 电流-测试 | 10mA |
| 频率 | 1.8MHz ~ 2GHz |
| 额定电流 | 7µ |
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