【未分类_MRFE6S9130HSR3】封装/厂家_MRFE6S9130HSR3中文资料_价格

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型号： MRFE6S9130HSR3
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRFE6S9130HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFE6S9130HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRFE6S9130HSR3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRFE6S9130HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFE6S9130HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

型号为 MRFE6S9130HSR3、品牌为 NXP USA Inc. 的射频MOSFET晶体管，主要应用于高功率射频放大器场景，尤其适合无线通信基础设施领域。该器件是一款LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）晶体管，具有高效率、高增益和良好热稳定性的特点，适用于900MHz至1GHz左右的频率范围。

其主要应用场景包括：

1. 蜂窝基站功率放大器：用于4G LTE及5G通信系统的基站发射模块中，作为射频信号的主功率放大器件，支持高数据速率和广覆盖需求。

2. 广播发射设备：如调频（FM）或数字音频广播（DAB）系统中，用于高功率射频信号放大。

3. 工业与专业通信系统：如公共安全通信、专用无线网络等，提供稳定可靠的高功率射频输出。

4. 测试与测量设备：在射频测试系统中作为高功率信号放大模块，用于模拟真实工作环境。

该器件采用高耐用封装（如Hittite封装技术），具备良好的热管理和高耐用性，适合长时间高负载运行。此外，其内部输入匹配设计降低了外围电路复杂度，便于系统集成。

总之，MRFE6S9130HSR3适用于需要高线性度、高效率和高可靠性的射频功率放大场景，尤其在现代通信基础设施中发挥重要作用。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CH 27W NI-780S
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRFE6S9130HSR3
PCN过时产品	http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-780S
功率-输出	27W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	19.2dB
封装/外壳	NI-780S
晶体管类型	LDMOS
标准包装	250
电压-测试	28V
电压-额定	66V
电流-测试	950mA
频率	880MHz
额定电流	10µA