Datasheet下载- 型号： BLF2425M7LS250P:11
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF2425M7LS250P:11由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF2425M7LS250P:11价格参考。NXP SemiconductorsBLF2425M7LS250P:11封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF2425M7LS250P:11参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF2425M7LS250P:11 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc. 的 BLF2425M7LS250P:11 是一款高性能射频功率 MOSFET 晶体管，主要应用于工业、科学和医疗（ISM）频段的射频功率放大器中。该器件工作频率范围覆盖 2400–2500 MHz，特别适用于需要高效率和高输出功率的无线通信与射频能量应用。 典型应用场景包括：工业加热与干燥设备、等离子体生成、射频激励源、医用射频治疗设备以及感应加热系统。此外，该器件也广泛用于大功率 Wi-Fi 基站、公共无线网络基础设施和宽带无线接入系统，在这些系统中提供稳定可靠的射频功率放大支持。 BLF2425M7LS250P:11 采用先进的 LDMOS 技术，具备高增益、高效率和良好的热稳定性，可在 28V 电源电压下提供高达 250W 的连续波（CW）输出功率，适合长时间高负载运行环境。其坚固的封装设计有助于高效散热，提升系统可靠性。 总之，该器件适用于对功率、效率和稳定性要求较高的中高频射频功率放大场景，尤其在工业加热和专业通信基础设施中表现突出。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF POWER LDMOST |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLF2425M7LS250P:11 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT539B |
| 其它名称 | 934065979118 |
| 功率-输出 | 250W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15dB |
| 封装/外壳 | SOT539B |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | - |
| 频率 | 2.4GHz ~ 2.5GHz |
| 额定电流 | - |
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