【未分类_MRFE6S9060GNR1】封装/厂家_MRFE6S9060GNR1中文资料_价格

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型号： MRFE6S9060GNR1
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRFE6S9060GNR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFE6S9060GNR1价格参考。Freescale SemiconductorMRFE6S9060GNR1封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRFE6S9060GNR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFE6S9060GNR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NXP USA Inc. 的 MRFE6S9060GNR1 是一款高性能的射频功率 MOSFET 晶体管，属于 NXP 的 GEN6 LDMOS 系列，专为高功率射频放大应用设计。该器件典型工作频率可达 900 MHz，输出功率高达 600 W，具有高增益、高效率和良好的热稳定性。

主要应用场景包括：

1. 广播发射系统：广泛用于 FM 广播和数字音频广播（DAB）发射机中的最终功率放大级，支持高保真信号传输。

2. 工业、科学和医疗（ISM）设备：适用于 900 MHz 频段的工业加热、等离子发生、射频激励源等需要连续波（CW）或高脉冲功率的设备。

3. 航空与国防通信：用于地面雷达、战术通信系统和电子战设备中的射频功率放大模块，满足严苛环境下的可靠性要求。

4. 基站与公共安全通信：支持陆地移动无线系统（如 TETRA、P25）和应急通信基站，提供稳定、高效的射频输出。

MRFE6S9060GNR1 采用陶瓷封装（NiCd 底座），具备优良的散热性能和功率处理能力，适合在高温度和高功率密度环境下长期运行。其增强型设计简化了偏置电路，提高了系统集成度和稳定性。该器件常用于需要高线性度和高可靠性的关键射频系统中，是现代大功率射频设计的重要组件。

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