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- 型号： BLF8G27LS-140V,112
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF8G27LS-140V,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF8G27LS-140V,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF8G27LS-140V,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF8G27LS-140V,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF8G27LS-140V,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc. 的型号为 BLF8G27LS-140V,112 的产品属于射频功率 MOSFET 晶体管，主要用于高功率射频应用。该器件特别适用于工作频率在 UHF 到微波频段（例如 800 MHz 至 3 GHz）之间的通信系统。 BLF8G27LS-140V,112 常用于广播、专业无线通信、软件定义无线电（SDR）、工业加热、医疗设备以及雷达系统等需要高效率、高功率输出的射频放大器设计中。它支持高电压工作（如 140V），使其在高功率应用中具有更高的线性度和输出能力。 此外，该器件适用于需要高可靠性和高稳定性的工业和商业设备，例如高功率发射机、射频测试设备和宽带放大器模块。其设计支持连续波（CW）和脉冲操作模式，适应多种调制方式，满足现代通信系统对高效率和低失真的需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS 140W LDMOS CDFM6 SOT1120B |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLF8G27LS-140V,112 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CDFM6 |
| 其它名称 | 934067171112 |
| 功率-输出 | 45W |
| 包装 | 散装 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17.4dB |
| 封装/外壳 | SOT-1120B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 32V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.3A |
| 频率 | 2.6GHz ~ 2.7GHz |
| 额定电流 | 4.2µA |
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